氧化铟锡薄膜的电子束蒸发制备及其电学性质

    长沙万特新材料氧化铟锡（ITO）因为其在可见光区的高透射率和低电阻率，作为一种透明导电薄膜被广泛的应用于太阳能电池和液晶显示器等各种光电设备中。作为一种能被用于高温的压阻材料，国外对其压阻效应已经有了满足的注重，新的研讨还在不断地打开，可是国内对此的研讨还适当少。

    本文意在经过丈量氧化铟锡的电阻温度系数（TCR）和室温下的呼应因子来研讨氧化铟锡的压阻效应。 运用电子束蒸发技能，选择适宜的成长参数在玻璃衬底上制备所需的氧化铟锡薄膜，进行了化学成分、晶体结构、光学性质等惯例丈量，并研讨了退火对薄膜性质的影响。然后用光刻和刻蚀的办法制作电学测验所需的图形。对于ITO薄膜的电学测验包含对其电阻温度系数和呼应因子的丈量两部分。前者是用黑体辐射来改动ITO样品的温度，丈量在不同温度下的薄膜电阻值，并建立了一个理论模型来拟合温度下降阶段ITO样品电阻值的改动，并从拟合参数中得到其电阻温度系数和激活能。后者是在室温下，经过改动薄膜一端的位移，丈量不同应变下ITO图形样品的电阻值，核算得到其呼应因子。因为ITO样品的电阻值在丈量过程中存在一个不能被忽视的跟着时刻的漂移量，所以在核算过程中考虑了这一漂移量带来的影响。同时还估算了因为测验电流发生的焦耳热引起的温升，证明温升引起的电阻改动远远小于压阻效应，可以疏忽。试验中分别丈量ITO样品在拉应变和压应变不同条件下的呼应因子，得到的呼应因子大约为-2.1。